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SK하이닉스, 작년 연구개발비 3조원대…영업익 급감에도 역대 최고

SK하이닉스, 작년 연구개발비 3조원대…영업익 급감에도 역대 최고

기사승인 2020. 02. 27. 17:45
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매출액 대비 비중도 전년도 5%P 증가한 12% 기록
4D 낸드플래시, 이미지센서 등 차세대 제품에 투자
하이닉스
SK하이닉스의 작년 연구개발비가 3조원을 넘어서면서 사상 최고치를 기록했다. 반도체 경기 악화로 지난해 실적이 80% 넘게 감소하는 가운데서도 기술 투자는 크게 늘린 것이다.

27일 SK하이닉스가 공시한 연결감사보고서에 따르면 2019년 한 해 연구개발비 총지출액은 3조1885억원이었다. 전년(2조8950억원)보다 10% 늘어난 규모로 역대 최대 지출액이다. 매출액 대비 비중도 전년(7%)보다 5%포인트 늘어난 12%였다.

자산화되는 비용을 뺀 순수 연구개발비는 지난해 2조8556억원으로 전년(2조2840억원) 대비 25%가 늘었다. 즉, 연구시설용 건축물 또는 부지 등을 사는데 들어가는 비용을 제외한 비교적 순수한 연구개발비가 크게 늘어난 것이다.

SK하이닉스는 지난해 영업이익이 2조7127억원으로 전년 대비 87% 급감했다. 이런 어려움 속에서도 기술 투자는 아끼지 않고 있는 것이다.

실제 SK하이닉스는 지난해 10월 3세대 10나노급(1z) 16기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발하는 등 차세대 기술 선점을 위한 투자를 이어오고 있다.

작년 8월에는 고대역폭 메모리(HBM·High Bandwidth Memory)인 ‘HBM2E D램’ 개발에 성공했고, 6월 128단 4D 낸드플래시를 양산했다. 9월에는 이미지센서 강국 일본에 차세대 CIS 연구개발센터도 개소했다. 이미지센서 시장이 소니와 삼성전자 양강체제로 운영되는 상황에서 시장의 성장 가능성을 보고 연구개발에 나선 것이다.

비록 SK하이닉스의 이미지센서 시장 점유율은 2%대에 불과하나 시장의 성장세와 메모리 반도체 시장에서 SK하이닉스의 역량을 고려하면 기대할 만한 투자라는 게 업계의 평가다.

한편, SK하이닉스와 함께 메모리 반도체 시장을 양분하고 있는 삼성전자는 지난해 실적 악화에도 불구하고 사장 처음으로 20조원 이상의 연구개발비를 쓴 것으로 드러났다. 이는 어려울수록 막대한 투자를 통해 시장을 주도하려는 삼성의 ‘초격차’ 전략의 일환으로 해석된다.
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